STB18NM60ND

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

650 V

Id - Corriente de drenaje continua:

13 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

290 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

34 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

130 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Serie:

STB18NM60ND

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

55 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

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STB18NM, STB18N, STB18, STB1, STB