CSD87334Q3DT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

VSON-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.3 mOhms, 8.3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

8.3 nC, 8.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD87334Q3D

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

62 S

Kit de desarrollo:

VSON

Otoño:

17 ns, 17 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7 ns, 7 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns, 11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns, 4 ns

Unidad de peso:

0.002677 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD