CSD18510KTT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

153 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

19.7 mm

Longitud:

9.25 mm

Serie:

CSD18510KTT

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

10.26 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

330 S

Otoño:

8 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Unidad de peso:

0.077603 oz

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