MRF9002NR2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

NXP

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

65 V

Ganar:

18 dB

Potencia de salida:

2 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 65 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PFP-16

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Drenaje doble triple

Altura:

2.1 mm

Longitud:

7.1 mm

Frecuencia de operación:

1 GHz

Escribe:

RF Power MOSFET

Ancho:

7.1 mm

Marca:

NXP / Freescale

Modo de canal:

Mejora

Sensible a la humedad:

Yes

Pd - Disipación de energía:

4 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Cantidad de paquete de fábrica:

1500

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

- 0.5 V, 15 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Tags

MRF9002, MRF900, MRF90, MRF9, MRF