FDM2509NZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

T

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

MLP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.8 mm

Longitud:

5 mm

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

36 S

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

15 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

750

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

11 ns

Parte # Alias:

FDM2509NZ_NL

Unidad de peso:

0.007055 oz

Tags

FDM25, FDM2, FDM