NTA4151PT1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SC-75-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

760 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

1.8 V

Qg - Carga de puerta:

2.1 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

301 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.75 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

NTA4151P

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

0.8 mm

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

0.4 S

Otoño:

20.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

29 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Unidad de peso:

0.000097 oz

Tags

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