ARF463AP1G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Transistores RF MOSFET

RoHS:

Y

Polaridad del transistor:

Canal N

Tecnología:

Si

Id - Corriente de drenaje continua:

9 A

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Ganar:

15 dB

Potencia de salida:

100 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-247-3

Embalaje:

Tubo

Frecuencia de operación:

100 MHz

Rango de temperatura de funcionamiento:

- 55 C to + 150 C

Escribe:

RF Power MOSFET

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconductancia directa - Mín .:

2 mS

Modo de canal:

Mejora

Otoño:

4.2 ns

Pd - Disipación de energía:

180 W

Tipo de producto:

Transistores RF MOSFET

Hora de levantarse:

4.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

5 V

Unidad de peso:

1.340411 oz

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ARF463A, ARF463, ARF46, ARF4, ARF