TK17E80W,S1X

TK17E80W,S1X
Mfr. #:
TK17E80W,S1X
Fabricante:
Toshiba
Descripción:
MOSFET N-Ch 800V 2050pF 32nC 17A 180W
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
TK17E80W,S1X Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK17E80W,S1X DatasheetTK17E80W,S1X Datasheet (P4-P6)TK17E80W,S1X Datasheet (P7-P9)TK17E80W,S1X Datasheet (P10)
ECAD Model:
Más información:
TK17E80W,S1X más información
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante:
Toshiba
Categoria de producto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnología:
Si
Estilo de montaje:
A través del orificio
Paquete / Caja:
TO-220-3
Número de canales:
1 Channel
Polaridad del transistor:
Canal N
Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:
800 V
Id - Corriente de drenaje continua:
17 A
Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:
250 mOhms
Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:
3 V
Vgs - Voltaje puerta-fuente:
20 V
Qg - Carga de puerta:
32 nC
Temperatura máxima de funcionamiento:
+ 150 C
Pd - Disipación de energía:
180 W
Configuración:
Único
Modo de canal:
Mejora
Nombre comercial:
DTMOSIV
Serie:
TK17E80W
Tipo de transistor:
1 N-Channel
Marca:
Toshiba
Otoño:
7 ns
Tipo de producto:
MOSFET
Hora de levantarse:
24 ns
Cantidad de paquete de fábrica:
50
Subcategoría:
MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:
80 ns
Tiempo típico de retardo de encendido:
58 ns
Unidad de peso:
0.063493 oz
Tags
TK17E8, TK17E, TK17, TK1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DTMOS TO-220SIS2 PD=45W F=1MHZ
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
***i-Key
MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Imagen Parte # Descripción
ADS1118QDGSRQ1

Mfr.#: ADS1118QDGSRQ1

OMO.#: OMO-ADS1118QDGSRQ1

Analog to Digital Converters - ADC Ult. sml 16 bit ADC w 4Input Mux, AUTO
TPS613222ADBVT

Mfr.#: TPS613222ADBVT

OMO.#: OMO-TPS613222ADBVT

Switching Voltage Regulators FG OF TPS613222ADBV
B82724J8432N040

Mfr.#: B82724J8432N040

OMO.#: OMO-B82724J8432N040

Fixed Inductors RING CORE CHOKE 2x6.8mH 4.3A
AT42QT1070-SSUR

Mfr.#: AT42QT1070-SSUR

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Capacitive Touch Sensors QTouch 7 Channel Touch Sensor IC
226BPA050M

Mfr.#: 226BPA050M

OMO.#: OMO-226BPA050M

Aluminum Electrolytic Capacitors - Axial Leaded 22uF 50V 20% tol. ELECTROLYTIC
ADS1118QDGSRQ1

Mfr.#: ADS1118QDGSRQ1

OMO.#: OMO-ADS1118QDGSRQ1-TEXAS-INSTRUMENTS

Analog to Digital Converters - ADC Ult. sml 16 bit ADC w 4Input Mux, AUTO
TPS613222ADBVT

Mfr.#: TPS613222ADBVT

OMO.#: OMO-TPS613222ADBVT-TEXAS-INSTRUMENTS

Conv DC-DC 0.9V to 5.5V Step Up Single-Out 5V 5-Pin SOT-23 T/R
STLQ020J33R

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IC REG LIN 3.3V 200MA 4FLIPCHIP
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IC TOUCH SENSOR 7KEY 14-SOIC
HDC2080DMBT

Mfr.#: HDC2080DMBT

OMO.#: OMO-HDC2080DMBT-TEXAS-INSTRUMENTS

HUMIDITY SENSOR
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En orden:
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Precio unitario
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1
4,20 US$
4,20 US$
10
3,38 US$
33,80 US$
100
3,08 US$
308,00 US$
250
2,78 US$
695,00 US$
500
2,50 US$
1 250,00 US$
1000
2,10 US$
2 100,00 US$
2500
2,00 US$
5 000,00 US$
5000
1,92 US$
9 600,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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