TK39J60W5,S1VQ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Toshiba

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-3PN-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

38.8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

55 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3.7 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

110 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

270 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Altura:

20 mm

Longitud:

15.5 mm

Serie:

TK39J60W5

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

4.5 mm

Marca:

Toshiba

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

50 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

25

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

200 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

80 ns

Unidad de peso:

0.245577 oz

Tags

TK39J60W5, TK39J, TK39, TK3