RZF013P01TL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-323T-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

260 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

300 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

2.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

0.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.85 mm

Longitud:

2 mm

Serie:

RZF013P01

Tipo de transistor:

1 P-Channel MOSFET

Ancho:

1.7 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns

Parte # Alias:

RZF013P01

Unidad de peso:

0.000988 oz

Tags

RZF013P01T, RZF013P01, RZF01, RZF