IXTK120P20T

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-264-3

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

30 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

15 V

Qg - Carga de puerta:

740 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.04 kW

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

TrenchP

Embalaje:

Tubo

Altura:

26.59 mm

Longitud:

20.29 mm

Serie:

IXTK120P20

Escribe:

TrenchP Power MOSFET

Ancho:

5.31 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

85 S

Otoño:

50 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

85 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

30

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

200 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

90 ns

Unidad de peso:

0.264555 oz

Tags

IXTK120, IXTK12, IXTK1, IXTK, IXT