DMN2024UTS-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSSOP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

24 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

0.35 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

0.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.39 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

245 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1024 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

434 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

140 ns

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