PHB18NQ10T,118

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

18 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

90 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

79 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.5 mm

Longitud:

10.3 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.4 mm

Marca:

Nexperia

Otoño:

12 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

36 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Parte # Alias:

/T3 PHB18NQ10T

Unidad de peso:

0.050442 oz

Tags

PHB18NQ1, PHB18, PHB1, PHB