CSD87335Q3DT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Instrumentos Texas

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

LSON-CLIP-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

25 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.4 Ohms, 1.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

5.7 nC, 10.7 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

NexFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.5 mm

Longitud:

3.3 mm

Serie:

CSD87335Q3D

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

3.3 mm

Marca:

Instrumentos Texas

Transconductancia directa - Mín .:

59 S, 107 S

Otoño:

4 ns, 5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29 ns, 27 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

250

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

13 ns, 17 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 8 ns

Unidad de peso:

0.002402 oz

Tags

CSD8733, CSD873, CSD87, CSD8, CSD