SIHB35N60EF-GE3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Vishay

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

32 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

97 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Qg - Carga de puerta:

134 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

250 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Serie:

EF

Tipo de transistor:

1 N-Channel EF-Series Power MOSFET

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconductancia directa - Mín .:

8 S

Otoño:

61 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

85 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

96 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Tags

SIHB3, SIHB, SIH