HUF76609D3ST

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

10 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

130 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

16 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

49 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.39 mm

Longitud:

6.73 mm

Serie:

HUF76609D3S

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

28 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

41 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

2500

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

30 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

10 ns

Parte # Alias:

HUF76609D3ST_NL

Unidad de peso:

0.009184 oz

Tags

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