FDB0300N1007L

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-7

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

200 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

11 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

81 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

3.8 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.7 mm

Longitud:

10.2 mm

Serie:

FDB0300N1007L

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

9.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

85 S

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

29 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

52 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

28 ns

Unidad de peso:

0.046279 oz

Tags

FDB03, FDB0, FDB