TGF2965-SM

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Qorvo

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

HEMT

Tecnología:

GaN SiC

Ganar:

18 dB

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

32 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 2.7 V

Id - Corriente de drenaje continua:

600 mA

Potencia de salida:

6 W

Voltaje máximo de la puerta de drenaje:

-

Temperatura mínima de funcionamiento:

-

Temperatura máxima de funcionamiento:

-

Pd - Disipación de energía:

7.5 W

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

QFN-16

Embalaje:

Bandeja

Configuración:

Único

Frecuencia de operación:

30 MHz to 3 GHz

Marca:

Qorvo

Transconductancia directa - Mín .:

-

Voltaje de corte de puerta-fuente:

-

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

-

Cantidad de paquete de fábrica:

100

Subcategoría:

Transistores

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

-

Parte # Alias:

1123170

Unidad de peso:

0.002014 oz

Tags

TGF296, TGF29, TGF2, TGF