UMZ8NTR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

Transistores bipolares - BJT

RoHS:

Y

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Polaridad del transistor:

NPN, PNP

Configuración:

Doble

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

12 V, 50 V

Colector- Voltaje base VCBO:

15 V, 60 V

Emisor- Voltaje base VEBO:

7 V

Corriente máxima del colector de CC:

0.15 A

Producto de ganancia de ancho de banda fT:

180 MHz, 260 MHz

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Serie:

UMZ8N

Ganancia de corriente CC hFE Max:

120 at 1 mA, 6 V

Altura:

0.9 mm

Longitud:

2 mm

Embalaje:

Carrete

Ancho:

1.25 mm

Marca:

Semiconductor ROHM

Colector de CC / Ganancia base hfe Min:

120

Pd - Disipación de energía:

150 mW

Tipo de producto:

BJT - Transistores bipolares

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

UMZ8, UMZ