FQU10N20LTU

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

200 V

Id - Corriente de drenaje continua:

7.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

360 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

6.3 mm

Longitud:

6.8 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

2.5 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

9.6 S

Otoño:

95 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

150 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

70

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

50 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

FQU10, FQU1, FQU