BSL205N H6327

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TSOP-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

39 mOhms, 39 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

3.2 nC, 3.2 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

500 mW (1/2 W)

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.1 mm

Longitud:

3 mm

Serie:

BSL205

Tipo de transistor:

2 N-Channel

Ancho:

1.5 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

8.6 S, 8.6 S

Otoño:

2.4 ns, 2.4 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.9 ns, 2.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11 ns, 11 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.8 ns, 5.8 ns

Parte # Alias:

BSL205NH6327XTSA1 SP001100646

Tags

BSL205, BSL20, BSL2, BSL