RQ6E030ATTCR

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor ROHM

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-457-6

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

70 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2.5 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

5.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.25 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Semiconductor ROHM

Otoño:

5.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

22 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.5 ns

Parte # Alias:

RQ6E030AT

Tags

RQ6E030, RQ6E03, RQ6E, RQ6