IXTP3N50D2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

IXYS

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

3 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

40 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

125 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Tubo

Altura:

16 mm

Longitud:

10.66 mm

Serie:

IXTP3N50

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Modo de agotamiento MOSFET

Ancho:

4.83 mm

Marca:

IXYS

Transconductancia directa - Mín .:

1.3 S

Otoño:

42 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

71 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

27 ns

Unidad de peso:

0.081130 oz

Tags

IXTP3N5, IXTP3N, IXTP3, IXTP, IXT