IRFS3307ZPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

75 V

Id - Corriente de drenaje continua:

120 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

79 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

230 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET de potencia HEXFET

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

320 S

Otoño:

65 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

64 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

38 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Parte # Alias:

SP001576230

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRFS3307Z, IRFS3307, IRFS330, IRFS33, IRFS3, IRFS, IRF