BSC084P03NS3E G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

78.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

8.4 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

43.4 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

69 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Serie:

OptiMOS P3

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Otoño:

8.1 nS

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

133.5 nS

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

33.3 nS

Parte # Alias:

BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012

Tags

BSC084P03NS3E, BSC084, BSC08, BSC0, BSC