TSM4800N15CX6 RFG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

392 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.1 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

MOSFET de potencia de canal N

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

3.3 S

Otoño:

18 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

18 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5 ns

Tags

TSM480, TSM48, TSM4, TSM