MCR12DSN-001

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

SCR

RoHS:

N

Corriente de ruptura IBO Max:

100 A

Voltaje nominal repetitivo en estado desactivado VDRM:

800 V

Corriente de fuga fuera de estado @ VDRM IDRM:

10 uA

Vf - Voltaje directo:

1.9 V

Voltaje inverso pico máximo de la puerta:

18 V

Voltaje de activación de puerta - Vgt:

1 V

Corriente de activación de puerta - Igt:

0.2 mA

Manteniendo la corriente Ih Max:

6 mA

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 110 C

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-251-3

Embalaje:

Tubo

Valoración actual:

7.6 A

Altura:

6.35 mm

Longitud:

6.73 mm

Escribe:

SCR

Ancho:

2.38 mm

Marca:

EN Semiconductor

Corriente en estado no repetitiva:

100 A

Tipo de producto:

SCR

Cantidad de paquete de fábrica:

75

Subcategoría:

Tiristores

Tags

MCR12DSN, MCR12DS, MCR12D, MCR12, MCR1, MCR