FDMS86200E

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PQFN-56

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

150 V

Id - Corriente de drenaje continua:

35 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

18 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

33 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

104 W

Configuración:

Drenaje cuádruple de fuente triple simple

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

1 N-Channel PowerTRENCH MOSFET

Marca:

EN Semiconductor

Transconductancia directa - Mín .:

33 S

Otoño:

5.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

7.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

27 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13 ns

Tags

FDMS86200, FDMS8620, FDMS862, FDMS86, FDMS8, FDMS, FDM