DMP10H4D2S-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Id - Corriente de drenaje continua:

270 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.2 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

1.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

440 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.975 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

DMP10

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

4.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

3.3 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMP10H4D, DMP10H, DMP10, DMP1, DMP