IRF7329TRPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SO-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

12 V

Id - Corriente de drenaje continua:

9.2 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

900 mV

Qg - Carga de puerta:

57 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2 W

Configuración:

Doble

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.75 mm

Longitud:

4.9 mm

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Ancho:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

25 S

Otoño:

260 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

8.6 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

4000

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001566104

Unidad de peso:

0.019048 oz

Tags

IRF7329TRP, IRF7329T, IRF7329, IRF732, IRF73, IRF7, IRF