DMN63D8L-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.8 Ohms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

800 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

0.9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

520 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.975 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

DMN63D8L

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

80 mS

Otoño:

16.7 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

3.9 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

11.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2.3 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN