FQL40N50F

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-264-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

500 V

Id - Corriente de drenaje continua:

40 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

110 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

460 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

QFET

Embalaje:

Tubo

Altura:

26.4 mm

Longitud:

20.2 mm

Serie:

FQL40N50F

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

5.2 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

29 S

Otoño:

250 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

440 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

375

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

350 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

140 ns

Parte # Alias:

FQL40N50F_NL

Unidad de peso:

0.238311 oz

Tags

FQL40N5, FQL40, FQL4, FQL