STL8NH3LL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT-3.3x3.3-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

8 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

18 V

Qg - Carga de puerta:

9 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

50 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.81 mm

Longitud:

5 mm

Serie:

STL8NH3LL

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

6 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

8.5 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

32 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

18 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

15 ns

Tags

STL8NH, STL8N, STL8, STL