2N7002ET3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

260 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

2.5 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

300 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.94 mm

Longitud:

2.9 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

1.3 mm

Marca:

EN Semiconductor

Otoño:

1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

4.8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

1.7 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

2N7002ET, 2N7002E, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7