PMZ350UPEYL

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Nexperia

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

DFN-1006-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

1.4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

940 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

1.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

360 mW

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.5 mm

Longitud:

1.02 mm

Producto:

MOSFET

Escribe:

MOSFET de trinchera

Ancho:

0.62 mm

Marca:

Nexperia

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

26 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4 ns

Unidad de peso:

0.000028 oz

Tags

PMZ35, PMZ3, PMZ