DMN3053L-13

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

4 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

50 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

600 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

12 V

Qg - Carga de puerta:

7.3 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.2 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

3 mm

Producto:

Modo de mejora MOSFET

Serie:

DMN3053

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

Modo de mejora MOSFET

Ancho:

1.4 mm

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

-

Otoño:

32 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

5.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

10000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

152 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

2 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

Tags

DMN3053, DMN305, DMN30, DMN3, DMN