IKW60N60H3

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

Transistores IGBT

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Paquete / Caja:

TO-247-3

Estilo de montaje:

A través del orificio

Configuración:

Único

Voltaje colector-emisor VCEO Max:

600 V

Voltaje de saturación colector-emisor:

1.85 V

Voltaje máximo del emisor de puerta:

20 V

Corriente continua del colector a 25 C:

80 A

Pd - Disipación de energía:

416 W

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Serie:

HighSpeed 3

Embalaje:

Tubo

Altura:

20.7 mm

Longitud:

15.87 mm

Ancho:

5.31 mm

Marca:

Infineon Technologies

Corriente de fuga puerta-emisor:

100 nA

Tipo de producto:

Transistores IGBT

Cantidad de paquete de fábrica:

240

Subcategoría:

IGBT

Nombre comercial:

TRENCHSTOP

Parte # Alias:

IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762

Unidad de peso:

0.214018 oz

Tags

IKW60N6, IKW60N, IKW6, IKW