STL12N60M2

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

STMicroelectronics

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerFLAT-5x6-HV-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

600 V

Id - Corriente de drenaje continua:

6.5 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

495 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

25 V

Qg - Carga de puerta:

16 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

52 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

MDmesh

Embalaje:

Carrete

Altura:

1 mm

Longitud:

6.35 mm

Producto:

MOSFET de potencia

Serie:

STL12N60M2

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Escribe:

MDmesh M2

Ancho:

5.4 mm

Marca:

STMicroelectronics

Otoño:

18 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

9.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

56 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

9.2 ns

Tags

STL12N60, STL12N6, STL12N, STL12, STL1, STL