FDY2000PZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-563-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

350 mA

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.2 Ohms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

630 mW

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

0.78 mm

Longitud:

1.6 mm

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

FDY2000PZ

Tipo de transistor:

2 P-Channel

Escribe:

MOSFET

Ancho:

0.88 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconductancia directa - Mín .:

1.4 S

Otoño:

13 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

8 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6 ns

Unidad de peso:

0.000071 oz

Tags

FDY2, FDY