TSM2537CQ RFG

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Semiconductor de Taiwán

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TDFN22-6

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N, canal P

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

11.6 A, 9 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

17 mOhms, 48 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

500 mV, 450 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

4.5 V

Qg - Carga de puerta:

9.1 nC, 9.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

6.25 W, 6.25 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Tipo de transistor:

MOSFET de potencia de canal N y P

Marca:

Semiconductor de Taiwán

Transconductancia directa - Mín .:

28 S, 15 S

Otoño:

30 ns, 68 ns

Sensible a la humedad:

Yes

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

41 ns, 34 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

25 ns, 69 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

8 ns, 10 ns

Tags

TSM25, TSM2, TSM