FDN86501LZ

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

EN Semiconductor

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SSOT-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

60 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.6 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

198 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

3.8 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

1.5 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

PowerTrench

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.12 mm

Longitud:

2.9 mm

Serie:

FDN86501LZ

Tipo de transistor:

1 N-channel

Ancho:

1.4 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Otoño:

1.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

1.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

9.6 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

4.4 ns

Unidad de peso:

0.001058 oz

Tags

FDN8, FDN