IRG7S313UTRLPBF

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-252-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

330 V

Id - Corriente de drenaje continua:

44 A

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

4.7 V

Qg - Carga de puerta:

33 nC

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

78 W

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Altura:

2.3 mm

Longitud:

6.5 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

6.22 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconductancia directa - Mín .:

47 S

Otoño:

68 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

13 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001537462

Unidad de peso:

0.139332 oz

Tags

IRG7S3, IRG7S, IRG7, IRG