DMT4003SCT

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

A través del orificio

Paquete / Caja:

TO-220AB-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

40 V

Id - Corriente de drenaje continua:

205 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

3 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

75.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

156 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Tubo

Marca:

Diodos incorporados

Otoño:

15.8 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

41.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

50

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

34.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

13.4 ns

Unidad de peso:

0.079014 oz

Tags

DMT400, DMT40, DMT4, DMT