IRF135SA204

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

TO-263-7

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

135 V

Id - Corriente de drenaje continua:

160 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

4.7 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

3 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

20 V

Qg - Carga de puerta:

210 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 175 C

Pd - Disipación de energía:

500 W

Configuración:

Único

Nombre comercial:

Fuerte IRFET

Embalaje:

Carrete

Altura:

4.4 mm

Longitud:

10 mm

Producto:

MOSFET

Escribe:

MOSFET de canal N

Ancho:

9.25 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

270 S

Otoño:

56 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

56 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

800

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

140 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

20 ns

Parte # Alias:

SP001564264

Unidad de peso:

0.056438 oz

Tags

IRF135S, IRF135, IRF13, IRF1, IRF