APTM10HM19FT3G

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Pastilla

Categoria de producto:

Módulos de semiconductores discretos

RoHS:

Y

Producto:

Módulos MOSFET de potencia

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

30 V

Estilo de montaje:

Montaje con tornillo

Paquete / Caja:

SP-32

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 40 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Embalaje:

Tubo

Configuración:

Único

Altura:

11.5 mm

Longitud:

73.4 mm

Ancho:

40.8 mm

Marca:

Microchip / Microsemi

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Otoño:

125 ns

Id - Corriente de drenaje continua:

70 A

Pd - Disipación de energía:

208 W

Tipo de producto:

Módulos de semiconductores discretos

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

19 mOhms

Hora de levantarse:

70 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1

Subcategoría:

Módulos de semiconductores discretos

Nombre comercial:

POWER MOS V

Tiempo de retardo de apagado típico:

95 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

35 ns

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

100 V

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

2 V

Tags

APTM10H, APTM10, APTM1, APTM, APT