DMG2301U-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

SOT-23-3

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

P-Channel

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

20 V

Id - Corriente de drenaje continua:

2.7 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

80 mOhms

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

8 V

Qg - Carga de puerta:

6.5 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

800 mW

Configuración:

Único

Embalaje:

Carrete

Producto:

Pequeña señal MOSFET

Serie:

DMG2301

Tipo de transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

10 S

Otoño:

22.2 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

10.3 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

46.5 nS

Tiempo típico de retardo de encendido:

12.5 ns

Unidad de peso:

0.000282 oz

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