DMN3012LDG-7

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Diodos incorporados

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PowerDI3333-8

Número de canales:

2 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

30 V

Id - Corriente de drenaje continua:

20 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

12 mOhms, 6 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1 V, 750 mV

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

6.1 nC, 12.6 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

2.2 W

Configuración:

Doble

Modo de canal:

Mejora

Embalaje:

Carrete

Marca:

Diodos incorporados

Transconductancia directa - Mín .:

27 S, 46 S

Otoño:

2.3 ns, 2.9 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

2.7 ns, 3.5 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

1000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

6.4 ns, 12.4 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

5.1 ns, 4.4 ns

Unidad de peso:

0.001552 oz

Tags

DMN3012, DMN301, DMN30, DMN3, DMN