BSC010NE2LSI

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Infineon

Categoria de producto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnología:

Si

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

PG-TDSON-8

Número de canales:

1 Channel

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

25 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 A

Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje:

1.05 mOhms

Vgs th - Voltaje umbral puerta-fuente:

1.2 V

Vgs - Voltaje puerta-fuente:

10 V

Qg - Carga de puerta:

59 nC

Temperatura mínima de funcionamiento:

- 55 C

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

96 W

Configuración:

Único

Modo de canal:

Mejora

Nombre comercial:

OptiMOS

Embalaje:

Carrete

Altura:

1.27 mm

Longitud:

5.9 mm

Tipo de transistor:

1 N-Channel

Ancho:

5.15 mm

Marca:

Infineon Technologies

Transconductancia directa - Mín .:

80 S

Otoño:

4.6 ns

Tipo de producto:

MOSFET

Hora de levantarse:

6.2 ns

Cantidad de paquete de fábrica:

5000

Subcategoría:

MOSFET

Tiempo de retardo de apagado típico:

32 ns

Tiempo típico de retardo de encendido:

6.3 ns

Parte # Alias:

BSC010NE2LSIATMA1 BSC1NE2LSIXT SP000854376

Unidad de peso:

0.007055 oz

Tags

BSC010NE, BSC010, BSC01, BSC0, BSC