IXTT10N100D

IXTT10N100D
Mfr. #:
IXTT10N100D
Fabricante:
Littelfuse
Descripción:
Darlington Transistors MOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds
Ciclo vital:
Nuevo de este fabricante.
Ficha de datos:
IXTT10N100D Ficha de datos
Entrega:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pago:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Atributo del producto
Valor de atributo
Fabricante
IXYS
categoria de producto
Transistores - FET, MOSFET - Sencillo
Serie
IXTT10N100
embalaje
Tubo
Unidad de peso
0.158733 oz
Estilo de montaje
SMD / SMT
Paquete-Estuche
TO-268-2
Tecnología
Si
Número de canales
1 Channel
Configuración
Único
Tipo transistor
1 N-Channel
Disipación de potencia Pd
400 W
Temperatura máxima de funcionamiento
+ 150 C
Temperatura mínima de funcionamiento
- 55 C
Otoño
75 ns
Hora de levantarse
85 ns
Vgs-Puerta-Fuente-Voltaje
30 V
Id-corriente-de-drenaje-continua
10 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
1000 V
Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage
- 3.5 V
Resistencia a la fuente de desagüe de Rds
1.4 Ohms
Polaridad del transistor
Canal N
Tiempo de retardo de apagado típico
110 ns
Tiempo de retardo de encendido típico
35 ns
Qg-Gate-Charge
130 nC
Transconductancia directa-Mín.
3 S
Modo de canal
Mejora
Tags
IXTT10, IXTT1, IXTT, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Parte # Mfg. Descripción Valores Precio
IXTT10N100D
DISTI # IXTT10N100D-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 10A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$12.7187
IXTT10N100D2
DISTI # IXTT10N100D2-ND
IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube
Temporarily Out of Stock
  • 30:$11.5587
IXTT10N100D
DISTI # 747-IXTT10N100D
IXYS CorporationMOSFET 10 Amps 1000V 1.4 Rds
RoHS: Compliant
30
  • 1:$15.8100
  • 10:$14.3800
  • 25:$13.2900
  • 50:$12.2300
  • 100:$11.9300
  • 250:$10.9400
  • 500:$9.9300
IXTT10N100D2
DISTI # 747-IXTT10N100D2
IXYS CorporationMOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs0
  • 1:$14.3700
  • 10:$13.0600
  • 25:$12.0800
  • 50:$11.1200
  • 100:$10.8400
  • 250:$9.9400
  • 500:$9.0200
Imagen Parte # Descripción
IXTT1N250HV-TRL

Mfr.#: IXTT1N250HV-TRL

OMO.#: OMO-IXTT1N250HV-TRL

Discrete Semiconductor Modules High Voltage Power MOSFET
IXTT1N450HV

Mfr.#: IXTT1N450HV

OMO.#: OMO-IXTT1N450HV

MOSFET 4500V 1A HV Power MOSFET
IXTT16P60P

Mfr.#: IXTT16P60P

OMO.#: OMO-IXTT16P60P

MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
IXTT16N50D2

Mfr.#: IXTT16N50D2

OMO.#: OMO-IXTT16N50D2

MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
IXTT10N100D2

Mfr.#: IXTT10N100D2

OMO.#: OMO-IXTT10N100D2

MOSFET D2 Depletion Mode Power MOSFETs
IXTT12N150HV

Mfr.#: IXTT12N150HV

OMO.#: OMO-IXTT12N150HV-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
IXTT1N250HV

Mfr.#: IXTT1N250HV

OMO.#: OMO-IXTT1N250HV-IXYS-CORPORATION

MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV
IXTT140N10PTRL

Mfr.#: IXTT140N10PTRL

OMO.#: OMO-IXTT140N10PTRL-1190

Nuevo y original
IXTT10P50

Mfr.#: IXTT10P50

OMO.#: OMO-IXTT10P50-IXYS-CORPORATION

MOSFET P-CH 500V 10A TO-268
IXTT1N100

Mfr.#: IXTT1N100

OMO.#: OMO-IXTT1N100-IXYS-CORPORATION

MOSFET 1 Amps 1000V
Disponibilidad
Valores:
Available
En orden:
2500
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Precio de referencia (USD)
Cantidad
Precio unitario
Ext. Precio
1
14,90 US$
14,90 US$
10
14,15 US$
141,50 US$
100
13,41 US$
1 340,55 US$
500
12,66 US$
6 330,40 US$
1000
11,92 US$
11 916,00 US$
Debido a la escasez de semiconductores a partir de 2021, el precio inferior es el precio normal antes de 2021. Envíe una consulta para confirmar.
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