ATF-551M4-TR1

Atributo del producto

Valor de atributo

Fabricante:

Broadcom Limited

Categoria de producto:

Transistores RF JFET

RoHS:

Y

Tipo de transistor:

EpHEMT

Tecnología:

GaAs

Ganar:

17.5 dB

Polaridad del transistor:

Canal N

Vds - Voltaje de ruptura de drenaje-fuente:

5 V

Vgs - Voltaje de ruptura de puerta-fuente:

- 5 V to 1 V

Id - Corriente de drenaje continua:

100 mA

Temperatura máxima de funcionamiento:

+ 150 C

Pd - Disipación de energía:

270 mW

Estilo de montaje:

SMD / SMT

Paquete / Caja:

Mini PAK

Embalaje:

Carrete

Configuración:

Fuente dual única

Frecuencia de operación:

2 GHz

Producto:

RF JFET

Escribe:

GaAs EpHEMT

Marca:

Broadcom / Avago

Transconductancia directa - Mín .:

220 mmho

NF - Figura de ruido:

0.5 dB

P1dB - Punto de compresión:

14.6 dBm

Tipo de producto:

Transistores RF JFET

Cantidad de paquete de fábrica:

3000

Subcategoría:

Transistores

Tags

ATF-551M4-T, ATF-551M, ATF-55, ATF-5, ATF